姓名: | 严嘉彬 | 性别: | 男 | 导师类型: | 硕导 | |
技术职称: | 副教授 | 邮箱: | jbyan@njupt.edu.cn | |||
学院: | 通信与信息工程学院 | 专业: | 微电子学与固体电子学 | |||
研究方向: | 氮化镓光电融合集成芯片及可见光通信技术研究 |
教育背景:
2013年毕业于上海大学,获得学士学位,2018年毕业于东南大学,获得博士学位。
研究方向及主要成果
目前研究方向包括:
(1) 氮化镓光电集成信息传输芯片
(2) 氮化镓收发一体芯片的传感应用
(3) 可见光通信系统
科研项目:
国家自然科学基金青年科学基金项目(62004103);
江苏省自然科学基金青年科学基金项目(BK20200743);
江苏省高校面上(20KJB510019);
2020年江苏省双创博士。
主要成果简介(论文/专利/竞赛等):
已发表学术论文30 余篇,授权国家发明专利20 余项,相关工作被Semiconductor Today 等学术媒体做过多次专题报道,成果数次入选期刊的“Editors’Picks”和杂志封面;以“GaN 光电子集成”获评江苏省高等学校科学技术研究成果奖二等奖;获得了国家自然科学基金青年科学基金项目、江苏省自然科学基金青年科学基金项目以及江苏省高校面上等多个项目的经费支持;指导研究生获得2022 年第十七届中国研究生电子设计竞赛全国一等奖,本人荣获“全国优秀指导教师”称号以及华为公司颁发的“杰出指导教师奖”。
代表性著作
Jiabin Yan,Jinlong Piao, and Yongjin Wang, “An enhancement mode MOSFET based on GaN-on-silicon platform for monolithic OEIC”, IEEE Electron Device Letters 41(1), 76-79(2019)
Jiabin Yan, Lining Wang, Bolun Jia, Ziqi Ye, Hongbo Zhu, H.W. Choi, and Yongjin Wang, “Uniting GaN electronics and photonics on a single chip”, Journal of Lightwave Technology 39(19), 6269(2021)
Jiabin Yan, Ziqi Ye, Fan Shi, Yeling Dai, Lingyun Yang, Jie Wu, and Yongjin Wang, “Reflection-type photoplethysmography pulse sensor based on an integrated optoelectronic chip with a ring structure”, Biomedical Optics Express 12(10), 6277-6283(2021)
Jiabin Yan, Bolun Jia, and Yongjin Wang, “Monolithically integrated voltage-controlled MOSFET-LED device based on a GaN-on-silicon LED epitaxial wafer”, Optics Letters 46(4), 745-748(2021)
Jiabin Yan, Lingyun Yang, Xinyuan Tong, Jie Wu, Yeling Dai, Fan Shi, Ziqi Ye, and Yongjin Wang, “Monolithically integrated UV photoelectric switch based on GaN-on-silicon platform”, IEEE Electron Device Letters 43(2), pp. 244-247(2022)
Jiabin Yan, Jialei Yuan, Yan Jiang, Hongbo Zhu, Hoi Wai Choi, and Yongjin Wang, “A vertical AlGaN DUV light-emitting diode fabricated by wafer bonding and sapphire thinning technology”, Applied Physics Express 15(3), 032003(2022)
Jiabin Yan, Li Fang, Zhihang Sun, Hao Zhang, Jialei Yuan, Yan Jiang, and Yongjin Wang, “Complete active-passive photonic integration based on GaN-on-silicon platform”, Advanced Photonics Nexus2(4), 046003-046003(2023).