一、个人简介
陶志阔，江苏徐州人，1981年9月生。2004年6月毕业于南京大学物理系磁学专业，获学士学位，2010年3月毕业于南京大学物理系微电子学与固体电子学专业，获博士学位；2008年10月至2009年4月通过教育部公派项目于悉尼大学进行合作研究；2010年3月至南京邮电大学电子科学与工程学院工作。作为项目负责人，主持国家自然科学基金、江苏省高校自然科学基金和南京邮电大学引进人才基金等科研项目，在Journal of Crystal Growth，Applied Physics Letters，Chinese Physics Letters等国际SCI期刊、国内核心期刊上发表论文二十余篇，获得多项专利授权。
二、研究方向及主要成果
1.自旋电子学材料与器件；
2.基于Memristor的复杂电路分析与设计。
三、代表性著作
四、联系方式
办公地点：南京邮电大学仙林校区
单位电话：85866408
Email：zktao@njupt.edu.cn
